12月5日消息，面对当前DRAM市场供不应求、价格持续上涨的局面，三星电子、SK海力士、美光这三大DRAM采取了不同的应对策略：三星电子拟减产HBM3E来扩大通用DRAM供给；而SK海力士则聚焦扩大数据中心/企业级所需的DRAM产品的供给，但也考虑扩大通用DRAM供给；美光则完全转向了满足数据中心/企业级需求，甚至不惜砍掉自己的消费类品牌。
三星电子拟削减HBM3E约40%产能，扩大通用DRAM供给
据韩国媒体DealSite近日报导，为助力公司实现明年利润最大化的目标，三星电子正考虑大幅削减基于其10nm级制程的第四代（1a）DRAM芯片HBM3E的产能，以便将生产重心转移到利润率高于当前HBM3E的10nm 级第五代 (1b) 制程的通用DRAM芯片上。
一位熟悉该三星内部情况的负责人表示：“我们内部正在讨论将 30-40% 的 1a DRAM 产能转换为1b DRAM。”他补充道：“如果我们将成熟工艺线（例如 1z）的转换投资也算进去，我们将确保每月额外获得 8 万片（基于晶圆）的 1b DRAM 产能。”
目前三星HBM3 和HBM3E 均基于1a nm 制程的DRAM制造，而三星电子的1b DRAM则主要用于生产通用DRAM产品，包括DDR5、LPDDR5X等，也有部分会用于生产GDDR7。即将量产的HBM4 则基于1c nm及1b nm 制程技术的DRAM产能来生产。
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虽然三星HBM3E良率已有显著提升，今年下半年也加入了英伟达的HBM3E供应链，但其供应量仍然有限。因为英伟达已经从SK海力士和美光获得了足够的供货量。同时，三星供给英伟达这些大客户的HBM3E价格也要比竞争对手更低，这也导致了三星当前的HBM3E产品的营业利润率预计只有30%左右。此外，英伟达、AMD都计划从明年开始将其主要产品的需求过渡到HBM4，这也将导致对于HBM3E需求减少。业内人士预计，从明年开始，12层HBM3E产品的年均售价可能还将下降30%以上，这也意味着三星HBM3E的利润率可能会进一步降低。
与此同时，由于人工智能（AI）的旺盛需求、HBM抢占标准DRAM产能、短期内DRAM扩产幅度有限等原因，导致基于1b DRAM产能的通用DRAM产品供不应求、价格持续上涨。根据预计，在经过价格上涨之后，三星基于1b DRAM产能的DDR5等通用DRAM的营业利润率将超过60%，远高于HBM3E产品。因此，对于三星来说，降低HBM3E产能，扩大标准DRAM产出将更有利可图。
一位半导体行业人士也解释说：“三星虽然通过了英伟达的HBM3E认证测试，并开始供货。但明年三星在英伟达HBM3E供应链中的份额将只有个位数”，并且“由于HBM3E与通用DRAM的盈利能力差距很大，目前生产HBM3E实际上是在赔钱。 ”
虽然，减产HBM3E所释放的1b DRAM产能也可以被用于HBM4，但三星目前主要是计划用1c DRAM产能来制造HBM4，以形成对SK海力士的竞争优势。相关报道显示，三星计划在其目前月产能为2万片晶圆的1c DRAM生产线上扩大投资，提升至约8万片晶圆，并将现有成熟工艺升级为1c DRAM工艺，从而在明年年底前将1c DRAM其总产能提升至15万片晶圆。不过最近有传闻称，三星对于HBM4投资开始偏于谨慎，可能也在考虑进一步削减投资。
除了英伟达和AMD之外，三星电子目前也有向博通、谷歌在内的多家大型科技公司供应HBM3E，减产HBM3E可能会影响到他们。但是三星内部人士认为：“如果美光科技由于重新设计HBM4，使得其HBM4市场竞争力下降，其明年的HBM产能仍将集中于HBM3E，因此其他ASIC客户有望从美光那里获得更多HBM3E产能。
除了通过减产HBM3E来增加通用DRAM产能之外，三星电子近期也决定将其位于平泽和华城园区的部分NAND闪存生产线改造为通用DRAM生产线，以快速提升通用DRAM产能。因为通用DRAM的价格上涨预计将比NAND Flash的价格上涨持续更长时间。
一位知情人士表示：“三星内部有强烈的趋势，力争明年取得优异的外部业绩。我们的核心目标是实现比SK海力士更高的营业利润，并在盈利能力方面明显超越他们。”该人士补充道：“因此，我们目前的目标是保持DRAM产量的高速增长（与近期半导体行业的复苏相符），并计划将大部分产能分配给利润率较高的通用DRAM。”